SWY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀
SWY2855 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀由Q表、測試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
SWY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
1 特點(diǎn)：
◎ 本公司**的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～70MHz（SWY2852D）, 50kHz～160MHz（SWY2853D）測試信號。獨(dú)立信號 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
2.2 Q表
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型號
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SWY2851D
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SWY2852D
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SWY2853D
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工作頻率范圍
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50kHz～50MHz
四位數(shù)顯，壓控振蕩器
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1kHz～70MHz
四位數(shù)顯，數(shù)字合成
精度：±50ppm
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50kHz～160MHz
四位數(shù)顯，數(shù)字合成
精度：±50ppm
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Q值測量范圍
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1～1000
三位數(shù)顯，±1Q分辨率
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1～1000
四位數(shù)顯，±0.1Q分辨率
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1～1000
四位數(shù)顯，±0.1Q分辨率
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可調(diào)電容范圍
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40～500 pF
ΔC±3pF
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40～500 pF
ΔC±3pF
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13～230 pF
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電容測量誤差
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±1%±1pF
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±1%±1pF
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±1%±0.5pF
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Q表殘余電感值
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約20nH
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約20nH
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約8nH
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2.3 介質(zhì)損耗裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：
SWY916D:Φ38mm和Φ50mm二種.
SWY915:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：
0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性：
0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：
±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：
25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
≤2.5×10-4
2.4 電感器：
按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。例如：在1MHz測試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。
2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測量儀提供的測量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
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